Нина спектр

TY — JOUR

T1 — ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ В CUINASS3

AU — Зобов, Е. М.

AU — Моллаев, А. Ю.

AU — Сайпулаева, Л. А.

AU — Алибеков, А. Г.

AU — Мельникова, Нина Владимировна

PY — 2016

Y1 — 2016

N2 — Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS3 играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS3 показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий EC-(0.14-0.35) eV. Исследования выполнены при финансовой поддержке РФФИ (грант N 16-02-00857).

AB — Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS3 играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS3 показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий EC-(0.14-0.35) eV. Исследования выполнены при финансовой поддержке РФФИ (грант N 16-02-00857).

Записи созданы 8132

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Похожие записи

Начните вводить, то что вы ищите выше и нажмите кнопку Enter для поиска. Нажмите кнопку ESC для отмены.

Вернуться наверх