TY — JOUR
T1 — ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ В CUINASS3
AU — Зобов, Е. М.
AU — Моллаев, А. Ю.
AU — Сайпулаева, Л. А.
AU — Алибеков, А. Г.
AU — Мельникова, Нина Владимировна
PY — 2016
Y1 — 2016
N2 — Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS3 играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS3 показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий EC-(0.14-0.35) eV. Исследования выполнены при финансовой поддержке РФФИ (грант N 16-02-00857).
AB — Представлены результаты исследования энергетического спектра электронных состояний, обусловленных центрами прилипания, роль которых в CuInAsS3 играют дефекты кристаллической решетки. Результаты анализа кривых термостимулированного тока в CuInAsS3 показывают, что энергетический спектр центров прилипания локализован под дном зоны проводимости в интервале энергий EC-(0.14-0.35) eV. Исследования выполнены при финансовой поддержке РФФИ (грант N 16-02-00857).
